型号: P6010DDG
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道
制造商: NIKO-SEM(尼克森)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W
类型: P沟道
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