型号: P6503FMA
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 1A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：P沟道
制造商: U-NIK(旭康)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.1A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 80mΩ @ 1A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 960mW
类型: P沟道
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