型号: PB521BX
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道
制造商: U-NIK(旭康)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8A
栅源极阈值电压: 850mV @ 250uA
漏源导通电阻: 40mΩ @ 1A,1.8V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.1W
类型: P沟道
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