型号:  PBHV8115T.215

功能描述:   Trans GP BJT NPN 150V 1A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN

- 集电极电流（Ic）（最大）：  1A

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  350mV @ 200mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  50 @ 500mA, 10V

功率 - 最大：  300mW

频率转换：  30MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  150 V

集电极最大直流电流：  1 A

最小直流电流增益：  100@50mA@10V|100@100mA@10V|50@0.5A@10V|10@1A@10V

最大工作频率：  30(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.06@10mA@100mA|0.05@20mA@100mA|0.35@200mA@1A V

最大集电极基极电压：  400 V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  300 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  1

最低工作温度：  -55

Maximum Transition Frequency ：  30(Typ)

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  300

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  400

最大集电极发射极电压：  150

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3(Max)

包装高度：  1(Max)

最大基地发射极电压：  6

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  1A

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  30MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  350mV @ 200mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

供应商设备封装：  SOT-23-3

功率 - 最大：  300mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  50 @ 500mA, 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6789-1

工厂包装数量：  3000

增益带宽产品fT：  30 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  6 V

直流集电极/增益hfe最小值：  100 at 50 mA at 10 V, 100 at 100 mA at 10 V, 50 at 0.5 A at 10 V, 10 at 1 A at 10 V

直流电流增益hFE最大值：  100 at 50 mA at 10 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  150 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  400 V

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

零件号别名：  PBHV8115T T/R

RoHS：  RoHS Compliant

集电极电流（ DC）（最大值）：  1 A

集电极 - 基极电压：  400 V

集电极 - 发射极电压：  150 V

发射极 - 基极电压：  6 V

频率：  30 MHz

功率耗散：  0.3 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-236AB

元件数：  1

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No