型号: PBR951,215
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管类型： NPN
电压-集射极击穿（最大值）： 10V
频率-跃迁： 8GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）： 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
功率-最大值： 365mW
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 50 @ 5mA，6V
电流-集电极（Ic）（最大值）： 100mA
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236AB（SOT23）
电压 - 集射极击穿（最大值）： 10V
频率 - 跃迁： 8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
功率 - 最大值： 365mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 50 @ 5mA，6V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： TO-236AB（SOT23）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
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