型号: PBSS2515E
功能描述: 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
制造商: nxp
安装类型: 表面贴装
宽度: 0.9mm
封装类型: SMPAK
尺寸: 0.85 x 1.8 x 0.9mm
引脚数目: 3
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 250 mW
最大发射极-基极电压: 6 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.1 V
最大直流集电极电流: 0.5 A
最大集电极-发射极电压: 15 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.25 V
最大集电极-基极电压: 15 V
最小直流电流增益: 90 V
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单
长度: 1.8mm
高度: 0.85mm
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