型号: PBSS306PZ
功能描述: 100 V, 4.1 A PNP low V_CEsat (BISS) transistor
制造商: nxp
安装类型: 表面贴装
宽度: 3.7mm
封装类型: SC-73
尺寸: 1.7 x 6.7 x 3.7mm
引脚数目: 4
晶体管类型: PNP
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 2000 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.05 V
最大直流集电极电流: 4.1 A
最大集电极-发射极电压: 100 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.325 V
最大集电极-基极电压: 100 V
最小直流电流增益: 25 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 100 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单双集电极
长度: 6.7mm
高度: 1.7mm
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：吴惠青
电话：15322247851
Q Q:
联系人：马信潮
电话：15986802007
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
