型号: PBSS4130T
功能描述: 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.4mm
封装类型: TO-236AB
尺寸: 1 x 3 x 1.4mm
引脚数目: 3
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 480 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.1 V
最大直流集电极电流: 1 A
最大集电极-发射极电压: 30 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.27 V
最大集电极-基极电压: 40 V
最小直流电流增益: 300 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 100 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单
长度: 3mm
高度: 1mm
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李兴
电话：15910331599
Q Q:
联系人：娄经理
电话：15564057604
Q Q:
联系人：马先生
电话：13410864434
Q Q:
