型号: PBSS4140S
功能描述: 40 V low VCEsat NPN transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
安装类型: 通孔
宽度: 4.2mm
封装类型: SPT
尺寸: 5.2 x 4.8 x 4.2mm
引脚数目: 3
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 830 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.2 V
最大直流集电极电流: 1 A
最大集电极-发射极电压: 40 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.5 V
最大集电极-基极电压: 40 V
最小直流电流增益: 200 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 150 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单
长度: 4.8mm
高度: 5.2mm
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