型号: PBSS4230QAZ
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 190mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 2A，2V
功率 - 最大值： 325mW
频率 - 跃迁： 190MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 3-DFN（1.1x1）
联系人：Alien
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联系人：杨先生
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电话：13352985419
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