型号: PBSS5112PAP,115
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-2020-6
晶体管极性: PNP
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 120 V
集电极—基极电压 VCBO: - 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 7 V
集电极—射极饱和电压: - 150 mV
最大直流电集电极电流: - 1.5 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 305
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Nexperia
集电极连续电流: - 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 190
Pd-功率耗散: 1450 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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