型号: PBSS5130T
功能描述: 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.4mm
封装类型: TO-236AB
尺寸: 1 x 3 x 1.4mm
引脚数目: 3
晶体管类型: PNP
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 480 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大直流集电极电流: 1 A
最大集电极-发射极电压: 30 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.225 V
最大集电极-基极电压: 30 V
最小直流电流增益: 201 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 200 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单
长度: 3mm
高度: 1mm
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