型号: PBSS5160U
功能描述: 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
制造商: nxp
安装类型: 表面贴装
宽度: 1.35mm
封装类型: UMT
尺寸: 1 x 2.2 x 1.35mm
引脚数目: 3
晶体管类型: PNP
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 415 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.1 V
最大直流集电极电流: 1 A
最大集电极-发射极电压: 60 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.34 V
最大集电极-基极电压: 80 V
最小直流电流增益: 100 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 185 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极小信号
配置: 单
长度: 2.2mm
高度: 1mm
联系人:林先生
电话:15913992480
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:梁小姐
电话:18126442734
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:程
电话:15989302538
联系人:曾先生
电话:18922814805
联系人:刘玉堂
电话:80552133
Q Q: