型号: PBSS5330X
功能描述: 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
制造商: nxp
安装类型: 表面贴装
宽度: 2.6mm
封装类型: UPAK
尺寸: 1.6 x 4.6 x 2.6mm
引脚数目: 4
晶体管类型: PNP
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 1600 mW
最大发射极-基极电压: 6 V
最大基极-发射极饱和电压: 1.2 V
最大直流集电极电流: 3 A
最大集电极-发射极电压: 30 V
最大集电极-发射极饱和电压: 0.32 V
最大集电极-基极电压: 30 V
最小直流电流增益: 100 V
最高工作温度: +150 °C
最高工作频率: 100 MHz
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极功率
配置: 单
长度: 4.6mm
高度: 1.6mm
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