型号:  PBSS5350T

功能描述:   PBSS5350T, PNP Bipolar Transistor, 2A 50V HFE:80V 100MHz Power, 3-Pin TO-236AB

制造商:  NXP

类别：  Bipolar Power

配置：  Single

外形尺寸：  1 x 3 x 1.4mm

身高：  1mm

长度：  3mm

最大的基射极饱和电压：  1.2 V

最大集电极基极电压：  50 V

最大集电极发射极饱和电压：  0.39 V

最大集电极发射极电压：  50 V

集电极最大直流电流：  2 A

最大基地发射极电压：  5 V

最大工作频率：  100 MHz

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  1.2 W

最小直流电流增益：  80 V

最低工作温度：  -65 °C

安装类型：  Surface Mount

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

晶体管类型：  PNP

宽度：  1.4mm

晶体管极性：  :PNP

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :50V

功耗：  :300mW

DC Collector Current：  :3A

DC Current Gain hFE：  :200

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :90V

连续集电极电流Ic最大：  :3A

Current Ic @ Vce Sat：  :500A

Current Ic Continuous a Max：  :3A

Current Ic hFE：  :500µA

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Gain Bandwidth ft Min：  :100MHz

Gain Bandwidth ft Typ：  :100MHz

Hfe Min：  :200

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：  :480mW

Voltage Vcbo：  :-50V

Weight (kg)：  0.000008

Tariff No.：  85412900

associated：  RE901