型号: PBSS8510PA,115
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5.2A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-2020-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
最大直流电集电极电流: 6 A
增益带宽产品fT: 150 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 285
高度: 0.61 mm
长度: 2.1 mm
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
宽度: 2.1 mm
商标: Nexperia
集电极连续电流: 5.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 30
Pd-功率耗散: 2.1 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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