型号: PCP1402-TD-H
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 1.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 210pF @ 20V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 3.5W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 2.4 欧姆 @ 600mA,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-243AA
封装形式Package: SOT-89
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 250V
连续漏极电流ID: 1.2A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 210pF @ 20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 2.4 欧姆 @ 600mA,10V
FET 类型: N 沟道
漏源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.2A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.2nC @ 10V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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