型号: PD20010TR-E
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 5 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
增益: 11 dB
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Formed-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 2 GHz
系列: PD20010-E
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 59 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
单位重量: 3 g
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