型号: PD55008L
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 40 Volt 4 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 否
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 5 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
增益: 17 dB at 500 MHz
输出功率: 8 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT (5x5)
封装: Reel
正向跨导 - 最小值: 1.6 S
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1 GHz
Pd-功率耗散: 19.5 W
系列: PD55008L
工厂包装数量: 3000
类型: RF Power MOSFET
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