型号: PD57006
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 否
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 15 dB at 945 MHz
输出功率: 6 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-10RF (Formed b28 Lead)
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1 GHz
Pd-功率耗散: 20 W
系列: PD57006
工厂包装数量: 50
类型: RF Power MOSFET
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：杨S
电话：13430662351
Q Q:
联系人：李先生，朱小姐
电话：18923764396
Q Q:
联系人：刘钰泉
电话：15675495666
Q Q:
