型号:  PD57018STR-E

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  2.5 A

Vds-漏源极击穿电压:  65 V

Rds On-漏源导通电阻:  760 mOhms

增益:  16.5 dB

输出功率:  18 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerSO-10RF-Straight-4

封装:  Reel

配置:  Single

高度:  3.5 mm

长度:  7.5 mm

工作频率:  1 GHz

系列:  PD57018-E

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  9.4 mm

商标:  STMicroelectronics

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  31.7 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  600

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

单位重量:  3 g