型号: PD57060S
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 否
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
增益: 14.3 dB at 945 MHz
输出功率: 60 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱 594 体: PowerSO-10RF (Straight Lead)
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1 GHz
Pd-功率耗散: 79 W
系列: PD57060
工厂包装数量: 50
类型: RF Power MOSFET
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