PD85006L-E规格参数_PD85006L-E全国代理商/分销商

型号: PD85006L-E
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
增益: 15 dB
输出功率: 6 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT (5x5)
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1 GHz
系列: PD85006L-E
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 20.8 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
单位重量: 3 g