型号: PD85035C
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans. LDMOST family
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
增益: 14.5 dB
输出功率: 35 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M243
封装: Bulk
配置: Single
高度: 4.45 mm (Max)
长度: 9.4 mm (Max)
工作频率: 1 GHz
系列: PD85035C
类型: RF Power MOSFET
宽度: 6.1 mm (Max)
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
Pd-功率耗散: 108 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
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