型号: PDN2313S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：P沟道
制造商: Potens(博盛半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.1A(Tc)
栅源极阈值电压: 800mV @ 250uA
漏源导通电阻: 65mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.56W(Tc)
类型: P沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱小姐
Q Q:
联系人：苏先生
电话：19520683865
Q Q:
联系人：刘彦成
电话：13720726368
Q Q:
