型号: PDN2313S
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道
制造商: Potens(博盛半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 4.1A(Tc)
栅源极阈值电压: 800mV @ 250uA
漏源导通电阻: 65mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.56W(Tc)
类型: P沟道
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