型号: PDS6903
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：P沟道
制造商: Potens(博盛半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.5A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 4.1W(Tc)
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：林
Q Q:
联系人：Frank
Q Q:
联系人：蔡
电话：13418788777
Q Q:
