型号: PDTA113EMB,315
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 1k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 1k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 30 @ 40mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 150mV @ 1.5mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： 180MHz
功率 - 最大值： 250mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-XFDFN
供应商器件封装： 3-DFN1006B（0.6x1）
其它名称： 934065918315
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
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联系人：李先生
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