型号:  PDTA114EU.115

功能描述:   Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP - Pre-Biased

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

电阻 - 基地（R1）（欧姆）：  10k

电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：  10k

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  30 @ 5mA, 5V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  150mV @ 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

频率转换：  180MHz

功率 - 最大：  200mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-70, SOT-323

供应商器件封装：  SC-70

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3SC-70

配置：  Single

类型：  PNP

最大集电极发射极电压：  50 V

峰值直流集电极电流：  100 mA

最小直流电流增益：  30@5mA@5V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最低工作温度：  -65

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@0.5mA@10mA

包装宽度：  1.35(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  200

欧盟RoHS指令：  Compliant

Maximum Continuous DC Collector Current ：  100

最大集电极发射极电压：  50

供应商封装形式：  SC-70

标准包装名称：  SOT-323

最高工作温度：  150

包装长度：  2.2(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

典型输入电阻：  10

封装：  Tape and Reel

典型电阻器比率：  1

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  PNP - Pre-Biased

频率 - 转换：  180MHz

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  10k

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  150mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  SOT-323

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  10k

功率 - 最大：  200mW

封装/外壳：  SC-70, SOT-323

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  30 @ 5mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-8088-1

外形尺寸：  2.2 x 1.35 x 1mm

身高：  1mm

长度：  2.2mm

最大集电极发射极饱和电压：  0.15 V

最大连续集电极电流：  100 mA

最大基地发射极电压：  -10 V

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  UMT

典型输入电阻：  10 kΩ

宽度：  1.35mm

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors Switching - Resistor Biased

晶体管极性：  PNP

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

零件号别名：  PDTA114EU T/R

RoHS：  RoHS Compliant

集电极 - 发射极电压：  50 V

直流电流增益（最小值）：  30

工作温度分类：  Military