型号:  PDTA123ET

功能描述:   PDTA123ET, Digital Transistor, PNP 100mA 50V 2.2kΩ, Ratio Of 1, 3-Pin TO-236AB

制造商:  NXP

配置：  Single

外形尺寸：  3 x 1.4 x 1mm

身高：  1mm

长度：  3mm

最大集电极发射极饱和电压：  0.15 V

最大集电极发射极电压：  50 V

最大连续集电极电流：  100 mA

最大基地发射极电压：  -10 V

最高工作温度：  +150 °C

最小直流电流增益：  30

最低工作温度：  -65 °C

安装类型：  Surface Mount

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

晶体管类型：  PNP

典型输入电阻：  2.2 kΩ

典型电阻器比率：  1

宽度：  1.4mm

晶体管极性：  :PNP

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :50V

功耗：  :250mW

DC Collector Current：  :100mA

DC Current Gain hFE：  :30

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :-150mV

连续集电极电流Ic最大：  :100mA

Current Ic Continuous a Max：  :100mA

Current Ic hFE：  :20µA

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Hfe Min：  :30

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：  :250mW

Resistance R1：  :2.2kohm

Resistance R2：  :2.2kohm

Voltage Vcbo：  :-50V

Weight (kg)：  0.000008

Tariff No.：  85412900

associated：  RE901