型号: PDTB113EQAZ
功能描述:
制造商: Nexperia
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： 150MHz
功率 - 最大值： 325mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-XDFN 裸露焊盘
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 1k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 33 @ 50mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 100mV @ 2.5mA，50mA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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