型号: PDTB123ET,215
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 2.2k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 50mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 250mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）
其它名称： 568-11242-2934058976215PDTB123ET T/RPDTB123ET T/R-NDPDTB123ET,215-ND
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