型号: PDTB123YT.215
功能描述: Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R
制造商: nxp semiconductors
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 3,000
晶体管类型: PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大): 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆): 2.2k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆): 10k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE: 70 @ 50mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC: 300mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大): 500nA
频率转换: -
功率 - 最大: 250mW
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
包装材料 : Tape & Reel (TR)
包装: 3TO-236AB
配置: Single
类型: PNP
最大集电极发射极电压: 50 V
峰值直流集电极电流: 500 mA
最小直流电流增益: 70@50mA@5V
工作温度: -65 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Tape & Reel
最低工作温度: -65
最大集电极发射极饱和电压: 0.3@2.5mA@50mA
包装宽度: 1.4(Max)
PCB: 3
最大功率耗散: 250
欧盟RoHS指令: Compliant
Maximum Continuous DC Collector Current : 500
最大集电极发射极电压: 50
供应商封装形式: TO-236AB
标准包装名称: SOT-23
最高工作温度: 150
包装长度: 3(Max)
引脚数: 3
包装高度: 1(Max)
典型输入电阻: 2.2
封装: Tape and Reel
典型电阻器比率: 0.22
铅形状: Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大): 500mA
晶体管类型: PNP - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆): 2.2k
电流 - 集电极截止(最大): 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件: 300mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
供应商设备封装: SOT-23-3
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆): 10k
功率 - 最大: 250mW
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型: Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时: 70 @ 50mA, 5V
RoHS指令: Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量: 3000
产品种类: Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性: PNP
最低工作温度: - 65 C
典型输入电阻: 2.2 KOhms
直流集电极/增益hfe最小值: 70
集电极 - 发射极最大电压VCEO: - 50 V
发射极 - 基极电压VEBO: - 5 V
功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
最高工作温度: + 150 C
零件号别名: PDTB123YT T/R
RoHS: RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压: 50 V
包装类型: TO-236AB
直流电流增益(最小值): 70
工作温度分类: Military
联系人:黄
电话:18927111567
Q Q:
联系人:柯小姐
电话:13510157626
联系人:王
电话:13631598171
联系人:郭智贤
电话:13590256842
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:李小姐
电话:15302619915
联系人:石满满
电话:13051098960
Q Q:
联系人:苏先生
电话:13316008071
联系人:张杰
电话:13973450440
联系人:吴子平
电话:15013856736