型号:  PDTC114TE.115

功能描述:   Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-75 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

- 集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

电阻 - 基地（R1）（欧姆）：  10k

电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  200 @ 1mA, 5V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  150mV @ 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

频率转换：  -

功率 - 最大：  150mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-75, SOT-416

供应商器件封装：  SC-75

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3SC-75

配置：  Single

类型：  NPN

最大集电极发射极电压：  50 V

峰值直流集电极电流：  100 mA

最小直流电流增益：  200@1mA@5V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

供应商封装形式：  SC-75

标准包装名称：  SC-75

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

最低工作温度：  -65

包装高度：  0.85(Max)

典型输入电阻：  10

最大功率耗散：  150

封装：  Tape and Reel

Maximum Continuous DC Collector Current ：  100

最大集电极发射极饱和电压：  0.15@0.5mA@10mA

包装宽度：  0.9(Max)

PCB：  3

包装长度：  1.8(Max)

最大集电极发射极电压：  50

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  10k

电流 - 集电极截止（最大）：  1µA

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  150mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  SC-75

功率 - 最大：  150mW

封装/外壳：  SC-75, SOT-416

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 1mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

外形尺寸：  1.8 x 0.9 x 0.85mm

身高：  0.85mm

长度：  1.8mm

最大集电极发射极饱和电压：  0.15 V

最大连续集电极电流：  100 mA

最大基地发射极电压：  5 V

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  150 mW

最低工作温度：  -65 °C

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  SOT-416

典型输入电阻：  10 kΩ

宽度：  0.9mm

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors Switching - Resistor Biased

晶体管极性：  NPN

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

零件号别名：  PDTC114TE T/R

RoHS：  RoHS Compliant

集电极 - 发射极电压：  50 V

直流电流增益（最小值）：  200

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

直流电流增益：  200

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :50V

功耗：  :150mW

DC Collector Current：  :100mA

DC Current Gain hFE：  :200

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-416

No. of Pins：  :3