型号: PDTC115EE,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 剪切带（CT）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 100k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 100k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 5mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 150mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-75，SOT-416
供应商器件封装： SC-75
其它名称： 568-11057-1
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：朱先生，曾小姐
电话：15875581958
Q Q:
联系人：Wang
电话：13631509155
Q Q:
联系人：崔
Q Q:
