型号:  PDTC123JT

功能描述:   Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB

制造商:  NXP

集电极 - 发射极电压：  50 V

安装：  Surface Mount

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

直流电流增益：  100

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :50V

Transition Frequency ft：  :230MHz

功耗：  :250mW

DC Collector Current：  :100mA

DC Current Gain hFE：  :100

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :100mV

连续集电极电流Ic最大：  :100mA

Current Ic Continuous a Max：  :100mA

Current Ic hFE：  :10µA

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Hfe Min：  :100

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max：  :250mW

Resistance R1：  :2.2kohm

Resistance R2：  :47kohm

晶体管类型：  :Bias Resistor (BRT)

Voltage Vcbo：  :50V

Weight (kg)：  0.000008

Tariff No.：  85412100