型号:  PDTD113ZT.215

功能描述:   Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

- 集电极电流（Ic）（最大）：  500mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

电阻 - 基地（R1）（欧姆）：  1k

电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：  10k

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  70 @ 50mA, 5V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  300mV @ 2.5mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  500nA

频率转换：  -

功率 - 最大：  250mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

配置：  Single

类型：  NPN

最大集电极发射极电压：  50 V

峰值直流集电极电流：  500 mA

最小直流电流增益：  70@50mA@5V

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最低工作温度：  -65

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@2.5mA@50mA

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  250

欧盟RoHS指令：  Compliant

Maximum Continuous DC Collector Current ：  500

最大集电极发射极电压：  50

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

典型输入电阻：  1

封装：  Tape and Reel

典型电阻器比率：  0.1

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  500mA

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  1k

电流 - 集电极截止（最大）：  500nA

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 2.5mA, 50mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  SOT-23-3

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  10k

功率 - 最大：  250mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  70 @ 50mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-8098-1

工厂包装数量：  3000

产品种类：  Transistors Switching - Resistor Biased

晶体管极性：  NPN

最低工作温度：  - 65 C

典型输入电阻：  1 KOhms

直流集电极/增益hfe最小值：  70

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

功率耗散：  250 mW

安装风格：  SMD/SMT

最高工作温度：  + 150 C

零件号别名：  PDTD113ZT T/R

RoHS：  RoHS Compliant

集电极 - 发射极电压：  50 V

包装类型：  TO-236AB

直流电流增益（最小值）：  70

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No