型号: PDTD123EK,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： 2.2k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 50mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 250mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SMT3
其它名称： 934058967115PDTD123EK T/RPDTD123EK T/R-ND
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李练武
电话：18218418913
Q Q:
联系人：曾先生
电话：15814611016
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
