型号: PEMB19,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 22k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 1mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 300mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： SOT-666
其它名称： 934058915115PEMB19 T/RPEMB19 T/R-ND
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈焕槟
电话：13714761665
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：14771195949
Q Q:
联系人：庄
电话：15913959769
Q Q:
