型号: PEMB9
功能描述: PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = 47 kW
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
晶体管极性: 进步党
电压, Vceo: -50V
过渡频率, ft: 180MHz
功耗, Pd: 300mW
集电极直流电流: -100mA
直流电流增益 hFE: 100
工作温度范围: -65°C 到 +150°C
封装类型: SOT-666
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
模块配置: 双
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