型号:  PEMD48,115

功能描述:  NXP Semiconductors/分立半导体产品

制造商:  NXP Semiconductors

标准包装：  4,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

系列：  -

包装：  带卷（TR）

晶体管类型：  1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：  4.7k，22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：  47k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：  150mV @ 500µA，10mA / 100mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  1µA

频率 - 跃迁：  -

功率 - 最大值：  300mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：  SOT-666

其它名称：  568-11263-2934056708115PEMD48 T/RPEMD48 T/R-NDPEMD48,115-ND