型号: PEMT1
功能描述: PNP general purpose double transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
晶体管极性: 进步党
电压, Vceo: 40V
过渡频率, ft: 100MHz
功耗, Pd: 200mW
集电极直流电流: -100mA
直流电流增益 hFE: 120
工作温度范围: -65°C 到 +150°C
封装类型: SOT-666
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
SMD标号: FF
功率 Ptot (每器件): 200mW
功耗: 200mW
封装类型: SOT-666
总功率, Ptot: 300mW
截止频率 ft, 典型值: 100MHz
最大连续电流, Ic: 100mA
模块配置: 双
满功率温度: 25°C
电压, Vcbo: 50V
电流, Ic hFE: 1mA
电流, Ic 最大: 100mA
直流电流增益 hfe, 最小值: 120
表面安装器件: 表面安装
饱和电压, Vce sat 最大: -200mV
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