型号: PGA26E19BA
功能描述: MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
制造商: Panasonic
制造商: Panasonic
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: X-GaN
系列: PGA26E19BA
商标: Panasonic
下降时间: 2.4 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.2 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 3.4 ns
典型接通延迟时间: 3.4 ns
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