型号:  PH1730AL.115

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  100A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.7 mOhm @ 15A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.15V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  77.9nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  5057pF @ 12V

功率 - 最大：  109W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-100, SOT-669

供应商器件封装：  LFPAK, Power-SO8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  5LFPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  100 A

RDS -于：  1.7@10V mOhm

最大门源电压：  20 V

典型导通延迟时间：  46 ns

典型上升时间：  72 ns

典型关闭延迟时间：  76 ns

典型下降时间：  34 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  100A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.15V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

供应商设备封装：  LFPAK56, Power-SO8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1.7 mOhm @ 15A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  109W

封装/外壳：  SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

输入电容（Ciss ） @ VDS：  5057pF @ 12V

其他名称：  934063082115

闸电荷（Qg ） @ VGS：  77.9nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant