型号: PH20100S,115
功能描述:
制造商: Nexperia
系列： TrenchMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 34.3A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 39nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2264pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 23 毫欧 @ 10A，10V
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-100，SOT-669
封装形式Package： LFPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 34.3A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
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联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
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联系人：张小姐
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联系人：刘晓婷
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联系人：蔡小姐
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Q Q:
