型号: PH2625L,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 32nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4308pF @ 12V
功率 - 最大值： 62.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装： LFPAK56，Power-SO8
其它名称： 568-2177-1
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：於R
电话：13713999519
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13482238368
Q Q:
联系人：郭
电话：13590239548
Q Q:
