型号:  PH3330L.115

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  100A

Rds（最大）@ ID，VGS：  3.3 mOhm @ 25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.15V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  30.5nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  4840pF @ 12V

功率 - 最大：  62.5W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-100, SOT-669

供应商器件封装：  LFPAK, Power-SO8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  5LFPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  100 A

RDS -于：  3.3@10V mOhm

最大门源电压：  20 V

典型导通延迟时间：  41 ns

典型上升时间：  75 ns

典型关闭延迟时间：  52 ns

典型下降时间：  27 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

最大门源电压：  20

包装宽度：  4.1(Max)

PCB：  4

最大功率耗散：  62500

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  3.3@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  LFPAK

标准包装名称：  LFPAK

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  5(Max)

引脚数：  5

包装高度：  1.1(Max)

最大连续漏极电流：  100

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  100A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.15V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

标准包装：  1,500

供应商设备封装：  LFPAK56, Power-SO8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  3.3 mOhm @ 25A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  62.5W

封装/外壳：  SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

输入电容（Ciss ） @ VDS：  4840pF @ 12V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  30.5nC @ 4.5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single Triple Source

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  100 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  3.3 mOhms

功率耗散：  62.5 W

最低工作温度：  - 55 C

零件号别名：  PH3330L T/R

上升时间：  75 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V