型号:  PH5030AL.115

功能描述:   TRENCHMOS (TM) ENHANCED LOGIC LEVEL FET

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  91A

Rds（最大）@ ID，VGS：  5 mOhm @ 15A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.15V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  29nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1760pF @ 12V

功率 - 最大：  61W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SC-100, SOT-669

供应商器件封装：  LFPAK, Power-SO8

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  5LFPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  91 A

RDS -于：  5@10V mOhm

最大门源电压：  20 V

典型导通延迟时间：  19 ns

典型上升时间：  35 ns

典型关闭延迟时间：  29 ns

典型下降时间：  12 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  20

包装宽度：  4.1(Max)

PCB：  4

最大功率耗散：  61000

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  5@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  LFPAK

标准包装名称：  LFPAK

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  5(Max)

引脚数：  5

包装高度：  1.1(Max)

最大连续漏极电流：  91

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  91A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.15V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

供应商设备封装：  LFPAK56, Power-SO8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  5 mOhm @ 15A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  61W

封装/外壳：  SC-100, SOT-669, 4-LFPAK

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1760pF @ 12V

其他名称：  934063088115

闸电荷（Qg ） @ VGS：  29nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  1500

配置：  Single

晶体管极性：  N-Channel

连续漏极电流：  91 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  5 mOhms

功率耗散：  61 W

最低工作温度：  - 55 C

栅极电荷Qg：  14.1 nC

上升时间：  35 ns

最高工作温度：  + 175 C

漏源击穿电压：  35 V