型号:  PH8230E.

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 67A 5-Pin (4+Tab) LFPAK T/R

制造商:  NXP

漏极电流（最大值）：  67 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �20 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  62.5 W

安装：  Surface Mount

噪声系数：  Not Required dB

漏源导通电阻：  0.0082 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  LFPAK

引脚数：  4 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  30 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  67 A

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :67A

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :0.0076ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :4.5V

Threshold Voltage Vgs：  :1.7V

功耗：  :62.5W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-669

No. of Pins：  :4

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：  :67A

Current Temperature：  :25°C

外部深度：  :6.2mm

External Length / Height：  :1.2mm

外宽：  :5mm

Junction Temperature Tj Max：  :150°C

Junction Temperature Tj Min：  :-55°C

N-channel Gate Charge：  :14nC

On State Resistance @ Vgs = 4.5V：  :11ohm

On State Resistance Max：  :0.0082ohm

工作温度范围：  :-55°C to +150°C

Pulse Current Idm：  :268A

端接类型：  :SMD

Voltage Vds Typ：  :30V

Voltage Vgs Max：  :20V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V

Voltage Vgs th Min：  :1V

Weight (kg)：  0.000107

Tariff No.：  85412100