型号: PHB38N02LT,118
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 44.7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 16 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 15.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 800pF @ 20V
功率 - 最大值： 57.6W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： 568-2191-2934057586118PHB38N02LT /T3
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