型号:  PHB47NQ10T.118

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  800

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  47A

Rds（最大）@ ID，VGS：  28 mOhm @ 25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  66nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  3100pF @ 25V

功率 - 最大：  166W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装：  D2PAK

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3D2PAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  47 A

RDS -于：  28@10V mOhm

最大门源电压：  20 V

典型导通延迟时间：  15 ns

典型上升时间：  70 ns

典型关闭延迟时间：  83 ns

典型下降时间：  45 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Standard

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  47A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

供应商设备封装：  D2PAK

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  28 mOhm @ 25A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  166W

输入电容（Ciss ） @ VDS：  3100pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  66nC @ 10V

封装/外壳：  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-5944-1

工厂包装数量：  800

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  47 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  28 mOhms

功率耗散：  166 W

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  SOT-404

零件号别名：  /T3 PHB47NQ10T

上升时间：  70 ns

最高工作温度：  + 175 C

漏源击穿电压：  100 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  45 ns

栅源电压（最大值）：  20 V

漏源导通电阻：  0.028 ohm

工作温度范围：  -55C to 175C

包装类型：  D2PAK

引脚数：  2 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military